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参数资料
| 型号： | MPC8308VMAFD |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/83页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MPU POWERQUICC II PRO 473MAPBGA |
| 产品培训模块： | MPC8308 PowerQUICC II Pro Processor |
| 特色产品： | MPC8308 PowerQUICC? II Pro Processor |
| 标准包装： | 84 |
| 系列： | MPC83xx |
| 处理器类型： | 32-位 MPC83xx PowerQUICC II Pro |
| 速度： | 333MHz |
| 电压： | 1V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 473-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 473-MAPBGA（19x19） |
| 包装： | 托盘 |
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MPC8308 PowerQUICC II Pro Processor Hardware Specification, Rev. 3
10
Freescale Semiconductor
DDR2 SDRAM
6DDR2 SDRAM
This section describes the DC and AC electrical specifications for the DDR2 SDRAM interface. Note that
DDR2 SDRAM is GVDD(typ) = 1.8 V.
6.1
DDR2 SDRAM DC Electrical Characteristics
This table provides the recommended operating conditions for the DDR2 SDRAM component(s) when
GVDD(typ) = 1.8 V.
This table provides the DDR2 capacitance when GVDD(typ) = 1.8 V.
Table 13. DDR2 SDRAM DC Electrical Characteristics for GVDD(typ) = 1.8 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Note
I/O supply voltage
GVDD
1.7
1.9
V
1
I/O reference voltage
MVREF
0.49
GV
DD
0.51
GV
DD
V2
I/O termination voltage
VTT
MVREF –0.04
MVREF + 0.04
V
3
Input high voltage
VIH
MVREF + 0.125
GVDD +0.3
V
—
Input low voltage
VIL
–0.3
MVREF –0.125
V
—
Output leakage current
IOZ
–9.9
9.9
A4
Output high current (VOUT = 1.420 V)
IOH
–13.4
—
mA
—
Output low current (VOUT = 0.280 V)
IOL
13.4
—
mA
—
Notes:
1. GVDD is expected to be within 50 mV of the DRAM GVDD at all times.
2. MVREF is expected to be equal to 0.5 GVDD, and to track GVDD DC variations as measured at the receiver.
Peak-to-peak noise on MVREF may not exceed ±2% of the DC value.
3. VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to be
equal to MVREF. This rail should track variations in the DC level of MVREF.
4. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V
V
OUT GVDD.
Table 14. DDR2 SDRAM Capacitance for GVDD(typ)=1.8 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input/output capacitance: DQ, DQS, DQS
CIO
68
pF
1
Delta input/output capacitance: DQ, DQS, DQS
CDIO
—0.5
pF
1
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 1.8 V ± 0.090 V, f = 1 MHz, TA = 25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak-to-peak) = 0.2 V.
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PDF描述 |
|---|---|
| FSM43DSES | CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET |
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| GMC30DTEI | CONN EDGECARD 60POS .100 EYELET |
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| IDT71V67903S85BQI | IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPC8308VMAFDA | 功能描述:微处理器 - MPU E300 MP PbFr 333 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| MPC8308VMAFF | 功能描述:微处理器 - MPU E300 MP 333MHZ RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| MPC8308VMAGD | 功能描述:微处理器 - MPU E300 MP PbFr 400 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| MPC8308VMAGDA | 功能描述:微处理器 - MPU E300 MP PbFr 400 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| MPC8308ZQADD | 功能描述:微处理器 - MPU E300 MP Pb 266 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
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