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参数资料
| 型号： | MR256D08BMA45R |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 256KB 45NS 48BGA |
| 标准包装： | 1,500 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 45ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-FBGA（8x8） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Mechanical Drawings
TOP VIEW
Figure 5.1 FBGA
MR256D08B
BOTTOM VIEW
0.41
0.31
SIDE VIEW
0.32
0.22
Print Version Not To Scale
1. Dimensions in Millimeters.
2. Dimensions and tolerances per ASME Y14.5M - 1994.
3. Maximum solder ball diameter measured parallel to DATUM A
4. DATUM A, the seating plane is determined by the spherical
crowns of the solder balls.
5. Parallelism measurement shall exclude any effect of mark on
top surface of package.
Everspin Technologies ? 2011
14
MR256D08B Rev. 3, 12/2011
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR25H10CDF | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MR256DL08BMA45R | 功能描述:IC MRAM 256KBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM（磁阻 RAM） 存储容量:256K（32K x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8x8） 标准包装:1 |
| MR25B-100R-F | 制造商:RF 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 100 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK 制造商:RF Electronics Inc. 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 100 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK |
| MR25B-10K0-F | 制造商:RFE INTERNATIONAL INC 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 10K OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK |
| MR25B-10K2-F | 制造商:RFE International Inc 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 10200 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK |
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