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参数资料
| 型号： | MR25H10CDF |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 14/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 490 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP，Small Flag（5x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1039 |
MR25H10
TIMING SPECIFICATIONS
Synchronous Data Timing
Table 4.4 AC Timing Parameters 1
Symbol
f SCK
t RI
t RF
t WH
t WL
Parameter
SCK Clock Frequency
Input Rise Time
Input Fall Time
SCK High Time
SCK Low Time
Conditions
Min
0
-
-
11
11
Max
40
50
50
-
-
Unit
MHz
ns
ns
ns
ns
Synchronous Data Timing (See figure 4.4)
t CS
t CSS
t CSH
t SU
t H
CS High Time
CS Setup Time
CS Hold Time
Data In Setup Time
Data In Hold Time
40
10
10
5
5
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
Output Valid Industrial Grade
V DD = 2.7 to
3.6v.
0
10
ns
t V
t HO
Output Valid Industrial Grade
Output Valid AEC-Q100 Grade 1
Output Hold Time
V DD = 3.0 to
3.6v.
V DD = 3.0 to
3.6v.
0
0
0
9
10
-
ns
ns
ns
HOLD Timing (See figure 4.5)
t HD
t CD
t LZ
t HZ
HOLD Setup Time
HOLD Hold Time
HOLD to Output Low Impedance
HOLD to Output High Impedance
10
10
-
-
-
-
20
20
ns
ns
ns
ns
Other Timing Specifications
t WPS
t WPH
t DP
t RDP
t DIS
WP Setup To CS Low
WP Hold From CS High
Sleep Mode Entry Time
Sleep Mode Exit Time
Output Disable Time
5
5
3
400
12
-
-
-
-
-
ns
ns
μs
μs
ns
Over the Operating Temperature Range and C L = 30 pF
1
Copyright ? Everspin Technologies 2013
14
MR25H10 Rev. 9, 4/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR25H256CDF | IC MRAM 256KBIT 40MHZ 8DFN |
| MR25H40CDF | IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN |
| MR2A08AMYS35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| MR2A16ATS35CR | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| MR2A16AVMA35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR25H10CDFR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDC | 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDCR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDF | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDFR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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