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参数资料
| 型号： | MR25H10CDF |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 2/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 490 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP，Small Flag（5x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1039 |
MR25H10
1. DEVICE PIN ASSIGNMENT
Overview
The MR25H10 is a serial MRAM with memory array logically organized as 128Kx8 using the four pin in-
terface of chip select (CS), serial input (SI), serial output (SO) and serial clock (SCK) of the serial peripheral
interface (SPI) bus. Serial MRAM implements a subset of commands common to today ’s SPI EEPROM and
Flash components allowing MRAM to replace these components in the same socket and interoperate on
a shared SPI bus. Serial MRAM offers superior write speed, unlimited endurance, low standby & operating
power, and more reliable data retention compared to available serial memory alternatives.
Figure 1.1 Block Diagram
W P
CS
HOLD
SCK
Instruction Decode
Clock Generator
Control Logic
Write Protect
128KB
MRAM ARRAY
Instruction Register
Address Register
Counter
17
8
SI
Data I/O Register
SO
4
Nonvolatile Status
Register
System Configuration
Single or multiple devices can be connected to the bus as shown in Figure 1.2. Pins SCK, SO and SI are
common among devices. Each device requires CS and HOLD pins to be driven separately.
Figure 1.2 System Configuration
SCK
MOSI
MISO
SO
SI
SCK
SO
SI
SCK
SPI
Micro Controller
EVERSPIN SPI MRAM 1
EVERSPIN SPI MRAM 2
CS
HOLD
CS
HOLD
CS 1
HOLD 1
CS 2
HOLD 2
MOSI = Master Out Slave In
MISO = Master In Slave Out
Copyright ? Everspin Technologies 2013
2
MR25H10 Rev. 9, 4/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR25H256CDF | IC MRAM 256KBIT 40MHZ 8DFN |
| MR25H40CDF | IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN |
| MR2A08AMYS35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| MR2A16ATS35CR | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| MR2A16AVMA35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR25H10CDFR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDC | 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDCR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDF | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDFR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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