参数资料
型号: MR25H10CDF
厂商: Everspin Technologies Inc
文件页数: 5/20页
文件大小: 0K
描述: IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
标准包装: 490
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: MRAM(磁阻 RAM)
存储容量: 1M (128K x 8)
速度: 40MHz
接口: SPI 串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-EP,Small Flag(5x6)
包装: 托盘
其它名称: 819-1039
MR25H10
SPI COMMUNICATIONS PROTOCOL
Table 2.3 Block Memory Write Protection
Status Register
Memory Contents
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
Protected Area
None
Upper Quarter
Upper Half
All
Unprotected Area
All Memory
Lower Three-Quarters 
Lower Half
None
Table 2.4 Memory Protection Modes
WEL
0
1
1
1
SRWD
X
0
1
1
WP
X
X
Low
High
Protected Blocks
Protected
Protected
Protected
Protected
Unprotected Blocks
Protected
Writable
Writable
Writable
Status
Register
Protected
Writable
Protected
Writable
When WEL is reset to 0, writes to all blocks and the status register are protected. When WEL is set to 1, 
BP0 and BP1 determine which memory blocks are protected. While SRWD is reset to 0 and WEL is set to 1, 
status register bits BP0 and BP1 can be modified. Once SRWD is set to 1, WP must be high to modify SRWD, 
BP0 and BP1. 
Read Status Register (RDSR)
The Read Status Register (RDSR) command allows the Status Register to be read. The Status Register can 
be read at any time to check the status of write enable latch bit, status register write protect bit, and block 
write protect bits. For MR25H10, the write in progress bit (bit 0) is not written by the memory because 
there is no write delay.  The RDSR command is entered by driving CS low, sending the command code, and 
then driving CS high.
Figure 2.1 RDSR
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
Mode 3
SCK
Mode 0
SI
0
0
0
0
0
1
0
1
MSB
Status Register Out
SO
High Impedance
7
6
5
4
3
2
1
0
High Z
MSB
Copyright ? Everspin Technologies 2013
5
MR25H10 Rev. 9, 4/2013
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MR25H10MDC 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H10MDCR 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H10MDF 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H10MDFR 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube