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参数资料
| 型号： | MR25H10CDF |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 18/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 490 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP，Small Flag（5x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1039 |
MR25H10
6. MECHANICAL DRAWINGS
Figure 6.2 Small Flag DFN Package
Exposed metal Pad. Do not con-
B
A
G
2X
5
0.10 C
J
nect anything except V SS
8
2X
0.10 C
I
L
M
H
C
Pin 1 Index
Detail A
F
4
K
N
1
D
E
Detail A
Dimension
Max
Min
A
5.10
4.90
B
6.10
5.90
C
0.90
0.80
D
1.27
BSC
E
0.45
0.35
F
0.05
0.00
G
1.60
1.20
H
0.70
0.50
I
2.10
1.90
J
2.10
1.90
K
.210
.196
L
C0.45
M
R0.20
N
0.05
0.00
NOTE:
1. All dimensions are in mm. Angles in degrees.
2. Coplanarity applies to the exposed pad as well as the terminals. Coplanarity shall be
within 0.08 mm.
3. Warpage shall not exceed 0.10 mm.
4. Refer to JEDEC MO-229
Copyright ? Everspin Technologies 2013
18
MR25H10 Rev. 9, 4/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR25H256CDF | IC MRAM 256KBIT 40MHZ 8DFN |
| MR25H40CDF | IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN |
| MR2A08AMYS35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| MR2A16ATS35CR | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| MR2A16AVMA35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR25H10CDFR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDC | 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDCR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDF | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDFR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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