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参数资料
| 型号： | MR2A16ATS35CR |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Specifications
Table 3. Absolute Maximum Ratings 1
Parameter
Symbol
Value
Unit
Supply voltage
2
V DD
–0.5 to 4.0
V
Voltage on any pin
2
V In
–0.5 to V DD + 0.5
V
Output current per pin
Package power dissipation 3
I Out
P D
± 20
0.600
mA
W
Temperature under bias
MR2A16ATS35C (Commercial - Legacy)
–10 to 85
MR2A16AYS35 (Commercial - New)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
Storage temperature
Lead temperature during solder (3 minute max)
T Bias
T stg
T Lead
–10 to 85
–45 to 95
–45 to 110
–55 to 150
260
°C
°C
°C
Maximum magnetic field during write
MR2A16ATS35C (Commercial - Legacy)
15
MR2A16AYS35 (Commercial - New)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
Maximum magnetic field during read or standby
H max_write
H max_read
25
25
25
100
Oe
Oe
NOTES:
4
1
2
3
Permanent device damage may occur if absolute maximum ratings are exceeded. Functional operation
should be restricted to recommended operating conditions. Exposure to excessive voltages or magnetic fields
could affect device reliability.
All voltages are referenced to V SS .
Power dissipation capability depends on package characteristics and use environment.
MR2A16A Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2A16AVMA35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| MR4A08BCYS35R | IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP |
| MRJ-5385-01 | CONN RCPT 8POS 2GRN 1PORT PCB |
| MRJ548501 | CONN MOD JACK 8P8C R/A GRN/GRN |
| MSC8122ADSE | KIT ADVANCED DEV SYSTEM 8122 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR2A16AVMA35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AVMA35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AVTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2A16AVYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AVYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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