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参数资料
| 型号： | MR2A16ATS35CR |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Specifications
Table 4. Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Power supply voltage
MR2A16ATS35C (Commercial - Legacy)
3.0 1
3.3
3.6
MR2A16AYS35 (Commercial - New)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
V DD
3.0 2
3.0 2
3.0 2
3.3
3.3
3.3
3.6
3.6
3.6
V
Write inhibit voltage
MR2A16ATS35C (Commercial - Legacy)
2.5
2.7
3.0 1
MR2A16AYS35 (Commercial - New)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
Input high voltage
Input low voltage
V WI
V IH
V IL
2.5
2.5
2.5
2.2
–0.5 4
2.7
2.7
2.7
—
—
3.0 2
3.0 2
3.0 2
V DD +
0.3 3
0.8
V
V
V
Operating temperature
MR2A16ATS35C (Commercial - Legacy)
0
70
MR2A16AYS35 (Commercial - New)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
T A
0
-40
-40
70
85
105
°C
NOTES:
1
2
3
4
After power up or if V DD falls below V WI , a waiting period of 2 μ s must be observed, and E and W
must remain high for 2 μ s. Memory is designed to prevent writing for all input pin conditions if V DD
falls below minimum V WI .
After power up or if V DD falls below V WI , a waiting period of 2 ms must be observed, and E and W
must remain high for 2 ms. Memory is designed to prevent writing for all input pin conditions if V DD
falls below minimum V WI .
V IH (max) = V DD + 0.3 Vdc; V IH (max) = V DD + 2.0 Vac (pulse width ≤ 10 ns) for I ≤ 20.0 mA.
V IL (min) = –0.5 Vdc; V IL (min) = –2.0 Vac (pulse width ≤ 10 ns) for I ≤ 20.0 mA.
MR2A16A Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2A16AVMA35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR2A16AVMA35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AVMA35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AVTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2A16AVYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AVYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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