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参数资料
| 型号： | MR2A16ATS35CR |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Specifications
Direct Current (dc)
Table 5. dc Characteristics
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Symbol
I lkg(I)
I lkg(O)
Min
—
—
Typ
—
—
Max
± 1
± 1
Unit
μ A
μ A
Output low voltage
(I OL = +4 mA)
(I OL = +100 μ A)
V OL
—
—
0.4
V SS + 0.2
V
Output high voltage
(I OH = –4 mA)
V OH
2.4
—
—
V
(I OH = –100 mA)
V DD – 0.2
Table 6. Power Supply Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
ac active supply current — read modes
(I Out = 0 mA, V DD = max)
1
I DDR
55
80
mA
ac active supply current — write modes 1
(V DD = max)
MR2A16ATS35C (Commercial - Legacy)
MR2A16AYS35 (Commercial - New)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
I DDW
105
105
105
105
155
155
165
165
mA
ac standby current
(V DD = max, E = V IH )
I SB1
18
28
mA
(no other restrictions on other inputs)
CMOS standby current
(E ≥ V DD – 0.2 V and V In ≤ V SS + 0.2 V or ≥ V DD – 0.2 V)
I SB2
9
12
mA
(V DD = max, f = 0 MHz)
NOTES:
1
All active current measurements are measured with one address transition per cycle.
Table 7. Capacitance 1
Parameter
Address input capacitance
Control input capacitance
Input/output capacitance
Symbol
C In
C In
C I/O
Typ
—
—
—
Max
6
6
8
Unit
pF
pF
pF
NOTES:
6
1
f = 1.0 MHz, dV = 3.0 V, T A = 25°C, periodically sampled rather than 100% tested.
MR2A16A Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2A16AVMA35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| MR4A08BCYS35R | IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP |
| MRJ-5385-01 | CONN RCPT 8POS 2GRN 1PORT PCB |
| MRJ548501 | CONN MOD JACK 8P8C R/A GRN/GRN |
| MSC8122ADSE | KIT ADVANCED DEV SYSTEM 8122 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR2A16AVMA35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AVMA35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AVTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2A16AVYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AVYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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