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参数资料
| 型号： | MRF15090 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 375A-01, 5 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | MRF15090 |
3
MRF15090
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
G
Pout
Gpe
VCC = 26 Vdc
ICQ = 250 mA
Single Tone
5 W
10 W
Pin = 15 W
20
Figure 1. Output Power & Power Gain
versus Input Power
120
Pin, INPUT POWER (WATTS)
20
0
8
40
80
60
Figure 2. Output Power versus Frequency
100
0
1400
1440
f, FREQUENCY (MHz)
1480
80
40
20
1520
4
12
16
1560
60
P
1600
0
P
100
9.0
8.5
8.0
7.5
G
1460
1500
1540
1580
1420
VCC = 26 Vdc
ICQ = 250 mA
f1 = 1490 MHz
f2 = 1490.1 MHz
7th
η
Gpe
VSWR
VCC = 26 Vdc
f1 = 1490 MHz
f2 = 1490.1 MHz
ICQ = 100 mA
750 mA
500 mA
250 mA
VCC = 26 Vdc
f1 = 1490 MHz
f2 = 1490.1 MHz
100 mA
250 mA
500 mA
ICQ = 750 mA
120
Figure 3. Intermodulation Distortion
versus Output Power
– 20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
– 50
– 60
40
– 40
– 30
Figure 4. Performance in Broadband Circuit
10
0
1400
1440
f, FREQUENCY (MHz)
1480
8
4
2
1520
20
60
80
1540
6
I
Figure 5. Intermodulation Distortion
versus Output Power
– 20
0.1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
– 50
– 60
10
– 40
– 30
Figure 6. Power Gain versus Output Power
2
0.1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
6
1
10
10
1
100
100
1560
0
3
4
5
7
8
9
100
9
7
3
1
5
1460
1500
1420
– 25
– 55
– 45
– 35
I
5th
3rd Order
50
20
0
40
30
10
1.0
2.0
2.5
3.0
I
η
,
E
VCC = 26 Vdc
ICQ = 250 mA
f = 1490 MHz Single Tone
Pout = 90 W (PEP)
VCC = 26 Vdc
ICQ = 250 mA
1.5
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