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参数资料
| 型号： | MRF15090 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 375A-01, 5 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | MRF15090 |
5
MRF15090
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 11. Input and Output Impedances with Circuit Tuned for Maximum Gain @ Pout = 90 Watts (PEP),
VCC = 26 Volts, ICQ = 250 mA, and Driven by Two Equal Amplitude Tones with Separation of 100 KHz
f
(MHz)
Zin
(
)
ZOL*
(
)
1400
1450
1500
1550
3.28 + j9.07
4.55 + j11.4
3.85 + j10.4
5.45 + j11.9
4.62 + j2.23
4.35 + j3.41
4.08 + j3.60
3.80 + j3.78
1600
6.20 + j12.2
3.55 + j3.84
Zin
= Input impedance is a balanced base to
base measurement.
ZOL* = Conjugate of optimum load impedance
collector to collector into which the device
operates at a given output power, bias
current, voltage and frequency.
Zin
ZOL*
f = 1.4 GHz
1.6
1.55
1.45
1.5
Zo = 10
f = 1.4 GHz
1.45
1.5
1.55
1.6
Table 1. Common Emitter S–Parameters (for One Side of Push–Pull MRF15090) at VCE = 24 Vdc, IC = 2.5 Adc
f
S11
S21
S12
S22
MHz
|S11|
0.999
0.999
0.994
0.992
0.994
0.986
0.982
0.973
0.957
0.938
0.903
0.857
0.821
0.837
0.872
0.901
0.920
0.940
0.954
0.965
0.971
φ
|S21|
0.164
0.179
0.196
0.216
0.241
0.269
0.306
0.351
0.408
0.483
0.571
0.651
0.673
0.623
0.529
0.437
0.363
0.309
0.265
0.232
0.205
φ
|S12|
0.006
0.007
0.007
0.008
0.008
0.009
0.010
0.011
0.012
0.013
0.014
0.014
0.013
0.011
0.009
0.008
0.007
0.008
0.008
0.009
0.010
φ
|S22|
0.957
0.956
0.948
0.940
0.935
0.924
0.915
0.905
0.888
0.876
0.859
0.855
0.877
0.902
0.922
0.931
0.932
0.930
0.932
0.930
0.929
φ
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
1350
1400
1450
1500
1550
1600
1650
1700
1750
1800
1850
1900
1950
2000
172
171
170
170
169
168
167
166
164
163
162
163
165
169
170
170
170
169
169
168
167
108
103
97
92
86
80
73
66
56
44
29
10
–14
– 37
– 56
–70
– 81
– 90
– 98
–104
–110
72
69
66
63
62
57
51
45
33
22
7
–13
– 40
– 67
–104
–138
–165
173
150
139
132
173
172
172
171
171
170
170
170
170
170
171
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174
174
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