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参数资料
| 型号： | MRF15090 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 375A-01, 5 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | MRF15090 |
MRF15090
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
3rd Order
Fundamental
VCC = 24 Vdc
IC = 5.0 Adc
f1 = 1490 MHz
f2 = 1490.1 MHz
60
– 40
15
Pin, INPUT POWER (dBm)
20
50
30
10
25
30
40
10
35
P
20
0
– 20
– 30
–10
40
45
50
ICQ = 250 mA
f1 = 1490 MHz
f2 = 1490.1 MHz
IMD
Gpe
G
9
VCC, COLLECTOR SUPPLY VOLTAGE (Vdc)
6.5
6
22
7
8
20
24
26
18
28
8.5
7.5
–10
–15
– 20
– 25
– 30
– 35
– 40
I
106
107
105
109
108
Figure 7. Class A Third Order Intercept Point
Figure 8. Power Gain and Intermodulation
Distortion versus Supply Voltage
2
M
TJ = 175
°
C
Tflange = 75
°
C
Tflange = 100
°
C
28
Figure 9. DC Safe Operating Area
10
VCE, COLLECTOR VOLTAGE (Vdc)
2
0
8
4
8
6
Figure 10. MTBF Factor versus
Junction Temperature
The graph above displays calculated MTBF in hours x ampere2
emitter current. Life tests at elevated temperatures have correlated
to better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure.
Divide MTBF Factor by IC2 for MTBF in a particular application.
140
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
180
220
4
12
20
260
I
100
0
160
200
240
120
16
24
B
MTBF Limited
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PDF描述 |
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参数描述 |
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