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参数资料
| 型号： | MRF1511NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 466K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 175MHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 7.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1511NT1DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1511NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 66 - 88 MHz
69810
142
3
5
697
8
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
0
70
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
30
60
40
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 13. Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
8
10
16
Figure 14. Drain Efficiency versus
Output Power
2
GAIN (dB)
1
Figure 15. Output Power versus
Biasing Current
12
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
4
Figure 16. Drain Efficiency versus
Biasing Current
80
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 17. Output Power versus
Supply Voltage
2
5
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Drain Efficiency versus
Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
678 109
30
69107
8
5
0
40
60
60
40
400
0
8
14
600 1000800
80
6
8
10
12
18
200
50
354
7
14
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
200 1000400 600
800
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
4
6
10
12
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
50
70
IDQ
= 150 mA
Pin
= 25.7 dBm
66 MHz
77 MHz
88 MHz
20
10
10
66 MHz
77 MHz
88 MHz
5
11
7
9
66 MHz
77 MHz
88 MHz
VDD
= 7.5 V
Pin
= 25.7 dBm
VDD
= 7.5 V
VDD
= 7.5 V
70
66 MHz
77 MHz
88 MHz
VDD
= 7.5 V
Pin
= 25.7 dBm
66 MHz
77 MHz
88 MHz
66 MHz
77 MHz
88 MHz
IDQ
= 150 mA
Pin
= 25.7 dBm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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