- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录91 > MRF1511NT1 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH PLD-1.5 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF1511NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 466K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 175MHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 7.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1511NT1DKR |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1511NT1
Note: ZOL* was chosen based on tradeoffs between gain, drain efficiency, and device stability.
Figure 20. Series Equivalent Input and Output Impedance
Zo
= 10
Ω
Zin
= Complex conjugate of source
impedance with parallel 15 Ω
resistor and 24 pF capacitor in
series with gate. (See Figure 10).
ZOL* = Complex conjugate of the load
impedance at given output power,
voltage, frequency, and ηD
> 50 %.
f
MHz
Zin
Ω
ZOL*
Ω
135 20.1 -j0.5 2.53 -j2.61
Zin
= Complex conjugate of source
impedance with parallel 15 Ω
resistor and 68 pF capacitor in
series with gate. (See Figure 1).
ZOL* = Complex conjugate of the load
impedance at given output power,
voltage, frequency, and ηD
> 50 %.
VDD
= 7.5 V, I
DQ
= 150 mA, P
out
= 8 W
155 17.0 +j3.6 3.01 -j2.48
175 15.2 +j7.9 2.52 -j3.02
f
MHz
Zin
Ω
ZOL*
Ω
66 25.3 -j0.31 3.62 -j0.751
VDD
= 7.5 V, I
DQ
= 150 mA, P
out
= 8 W
77 25.6 +j3.62 3.59 -j0.129
88 26.7 +j6.79 3.37 -j0.173
ZOL*
135
Zin
135
155
f = 175 MHz
155
f = 175 MHz
66
77
Zin
f = 88 MHz
66
77
f = 88 MHz
ZOL*
Zin
ZOL*
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1513NT1 | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| MRF1517NT1 | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| MRF1518NT1 | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| MRF1535NT1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 WRAP |
| MRF1550FNT1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1511NT1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF1511NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF1511T1 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF1513N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF1513NT1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。