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参数资料
型号： MRF1511NT1
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 14/14页
文件大小： 466K
描述： MOSFET RF N-CH PLD-1.5
产品培训模块： RF Broadcast Solutions
标准包装： 1
晶体管类型： LDMOS
频率： 175MHz
增益： 13dB
电压 - 测试： 7.5V
额定电流： 4A
电流 - 测试： 150mA
功率 - 输出： 8W
电压 - 额定： 40V
封装/外壳： PLD-1.5
供应商设备封装： PLD-1.5
包装： 标准包装
产品目录页面： 560 (CN2011-ZH PDF)
其它名称： MRF1511NT1DKR
MRF1511NT1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Common Source Scattering Parameters (VDD
= 7.5 Vdc)
IDQ
= 150 mA
ff
S11
S21
S12
S22
MHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
30
0.88
-165
18.92
95
0.015
8
0.84
-169
50
0.88
-171
11.47
91
0.016
-5
0.84
-173
100
0.87
-175
5.66
85
0.016
-7
0.84
-176
150
0.87
-176
3.75
82
0.015
-5
0.85
-176
200
0.87
-177
2.78
78
0.014
-6
0.84
-176
250
0.87
-177
2.16
75
0.014
-10
0.85
-176
300
0.88
-177
1.77
72
0.012
-17
0.86
-176
350
0.88
-177
1.49
69
0.013
-11
0.86
-176
400
0.88
-177
1.26
66
0.013
-17
0.87
-175
450
0.88
-177
1.08
64
0.011
-20
0.87
-175
500
0.89
-176
0.96
63
0.012
-20
0.88
-175
IDQ
= 800 mA
ff
S11
S21
S12
S22
MHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
30
0.89
-166
18.89
95
0.014
10
0.85
-170
50
0.88
-172
11.44
91
0.015
8
0.84
-174
100
0.87
-175
5.65
86
0.016
-2
0.85
-176
150
0.87
-177
3.74
82
0.014
-8
0.84
-177
200
0.87
-177
2.78
78
0.013
-18
0.85
-177
250
0.88
-177
2.16
75
0.012
-11
0.85
-176
300
0.88
-177
1.77
73
0.015
-15
0.86
-176
350
0.88
-177
1.50
70
0.009
-7
0.87
-176
400
0.88
-177
1.26
67
0.012
-3
0.87
-176
450
0.88
-177
1.09
65
0.012
-18
0.87
-175
500
0.89
-177
0.97
64
0.009
-10
0.88
-175
IDQ
= 1.5 A
ff
S11
S21
S12
S22
MHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
30
0.90
-168
17.89
95
0.013
2
0.86
-172
50
0.89
-173
10.76
91
0.013
3
0.86
-175
100
0.88
-176
5.32
86
0.014
-19
0.86
-177
150
0.88
-177
3.53
83
0.013
-6
0.86
-177
200
0.88
-177
2.63
80
0.011
-4
0.86
-177
250
0.88
-178
2.05
77
0.012
-14
0.86
-177
300
0.88
-177
1.69
75
0.013
-2
0.87
-177
350
0.89
-177
1.43
72
0.010
-9
0.87
-176
400
0.89
-177
1.22
70
0.014
-3
0.88
-176
450
0.89
-177
1.06
68
0.011
-8
0.88
-176
500
0.89
-177
0.94
67
0.011
-15
0.88
-176
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