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参数资料
| 型号： | MRF1511NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 466K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 175MHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 7.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1511NT1DKR |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1511NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz
7108
9
0101
2
3
475869
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
0
70
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
30
60
40
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 4. Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
8
6
14
Figure 5. Drain Efficiency versus Output Power
2
GAIN (dB)
5
Figure 6. Output Power versus Biasing Current
12
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
4
Figure 7. Drain Efficiency versus
Biasing Current
80
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 8. Output Power versus Supply Voltage
2
4
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Drain Efficiency versus Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
= 27 dBm
30
in
6141610
12
4
61281610
14
8
0
40
60
70
40
400
0
8
14
600 1000800
80
5
6
10
10
16
200
50
4
12
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
200 1000400 600
800
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
3
1
60
4
6
10
12
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
50
70
20
10
175 MHz
155 MHz
135 MHz
VDD
= 7.5 V
175 MHz
155 MHz
135 MHz
VDD
= 7.5 V
6
7
8
9
11
175 MHz
155 MHz
135 MHz
VDD
= 7.5 V
Pin
= 27 dBm
175 MHz
155 MHz
135 MHz
VDD
= 7.5 V
Pin
= 27 dBm
175 MHz
155 MHz
135 MHz
IDQ
= 150 mA
Pin
= 27 dBm
175 MHz
155 MHz
135 MHz
IDQ
= 150 mA
P
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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