参数资料
型号: MRF1518T1
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件页数: 11/20页
文件大小: 742K
代理商: MRF1518T1
MRF1518T1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
0.115
2.92
0.020
0.51
0.115
2.92
mm
inches
0.095
2.41
0.146
3.71
SOLDER FOOTPRINT
CASE 466-03
ISSUE D
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1984.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH
3. RESIN BLEED/FLASH ALLOWABLE IN ZONE V, W,
AND X.
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.255
0.265
6.48
6.73
B
0.225
0.235
5.72
5.97
C
0.065
0.072
1.65
1.83
D
0.130
0.150
3.30
3.81
E
0.021
0.026
0.53
0.66
F
0.026
0.044
0.66
1.12
G
0.050
0.070
1.27
1.78
H
0.045
0.063
1.14
1.60
K
0.273
0.285
6.93
7.24
L
0.245
0.255
6.22
6.48
N
0.230
0.240
5.84
6.10
P
0.000
0.008
0.00
0.20
Q
0.055
0.063
1.40
1.60
R
0.200
0.210
5.08
5.33
S
0.006
0.012
0.15
0.31
U
0.006
0.012
0.15
0.31
ZONE V 0.000
0.021
0.00
0.53
ZONE W 0.000
0.010
0.00
0.25
ZONE X 0.000
0.010
0.00
0.25
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
4. SOURCE
J
0.160
0.180
4.06
4.57
A
B
D
F
L
R
3
4
2
1
K
N
ZONE V
ZONE W
ZONE X
G
S
H
U
_
10 DRAFT
P
C
E
0.35 (0.89) X 45
5
"
YY
Q
VIEW Y-Y
__
4
2
1
3
PLD-1.5
PLASTIC
相关PDF资料
PDF描述
MRF1535FNT1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272BA
MRF1535NT1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272AA
MRF1535T1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272AA
MRF1550FNT1 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272BA
MRF1550NT1 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272AA
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF151A 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF151G 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF151GB 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF151GC 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF151GMP 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET