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参数资料
| 型号： | MRF1518T1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN |
| 文件页数： | 19/20页 |
| 文件大小： | 742K |
| 代理商： | MRF1518T1 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1518T1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 400 - 470 MHz
440 MHz
2
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
0
70
04
Ef
f,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
30
60
40
3
1
Ef
f,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Figure 22. Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
7
5
13
Figure 23. Drain Efficiency versus Output
Power
2
GAIN
(dB)
0
Figure 24. Output Power versus
Biasing Current
12
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
0
Figure 25. Drain Efficiency versus
Biasing Current
70
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
45
Figure 26. Output Power versus
Supply Voltage
8
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
2
Figure 27. Drain Efficiency versus
Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
30
12
8
0
60
70
60
30
400
0
5
12
600
1000
80
2
6
4
9
17
200
50
4
11
P out
,
OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
200
1000
400
600
P out
,
OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
13
916
11
910
11
16
3
1
65
55
3
4
7
8
Ef
f,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
65
75
55
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
440 MHz
400 MHz
470 MHz
400 MHz
VDD = 12.5 Vdc
Pin = 26.8 dBm
IDQ = 150 mA
Pin = 26.8 dBm
VDD = 12.5 Vdc
Pin = 26.8 dBm
IDQ = 150 mA
Pin = 26.8 dBm
15
68
7
5
10
12
11
9
20
10
80
68
7
510
12
11
9
800
10
8
800
40
35
10
14
15
6
10
11
9
50
45
40
35
15
13
14
VDD = 12.5 Vdc
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PDF描述 |
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| MRF151GB | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF151GC | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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