型号: | MRF1518T1 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封装: | PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN |
文件页数: | 17/20页 |
文件大小: | 742K |
代理商: | MRF1518T1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MRF1535FNT1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272BA |
MRF1535NT1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272AA |
MRF1535T1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272AA |
MRF1550FNT1 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272BA |
MRF1550NT1 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MRF151A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF151G | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF151GB | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF151GC | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF151GMP | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |