- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21727 > MRF1570FNT1 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF1570FNT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 19/23页 |
| 文件大小： | 616K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 470MHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-272BA |
| 供应商设备封装： | TO-272-6 绕接 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF1570FNT1DKR |
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz
90
12
18
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Gain versus Output Power
G
ps
, P
O
WER
G
AIN (dB)
20 30 40 50 60 70 80
135 MHz
175 MHz
155 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
17
16
15
14
13
90
20
70
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 6. Drain Efficiency versus Output Power
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
60
50
40
30
20 30 40 50 60 70 80
135 MHz
175 MHz
155 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
1600
50
90
400
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 7. Output Power versus Biasing Current
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
135 MHz
175 MHz
155 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 36 dBm
80
70
60
600 800 14001000
1200
0
100
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 8. Drain Efficiency versus Biasing Current
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
1600
400
135 MHz
175 MHz
155 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 36 dBm
600 800 14001000
1200
80
60
40
20
15
0
100
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Output Power versus Supply Voltage
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
135 MHz
175 MHz
155 MHz
Pin
= 36 dBm
IDQ
= 800 mA
80
60
40
20
14
13
12
11
15
0
100
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Drain Efficiency versus Supply Voltage
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
80
60
40
20
135 MHz
175 MHz
155 MHz
Pin
= 36 dBm
IDQ
= 800 mA
11 12 13 14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3391-1.843200 | OSC 1.8432 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF9045NR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 |
| C3291-15.360 | OSC 15.360 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| 473 | DESOLDER SUPERWICK 500' NO.3 GRN |
| 472 | DESOLDER SUPERWICK 500' NO.2 YEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1570FT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF1570N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1570NT1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS TO272-6N FORMED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF1570NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1570T1 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。