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参数资料
| 型号： | MRF1570FNT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 22/23页 |
| 文件大小： | 616K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 470MHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-272BA |
| 供应商设备封装： | TO-272-6 绕接 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF1570FNT1DKR |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 400 - 470 MHz
80
5
17
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 15. Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
400 MHz
VDD= 12.5 Vdc
440 MHz
470 MHz
15
13
11
9
7
10 20 30 40 50 60 70
80
0
70
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 16. Drain Efficiency versus Output Power
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
60
50
40
30
20
10
10 20 30 40 50 60 70
400 MHz
VDD= 12.5 Vdc
440 MHz
470 MHz
1600
50
90
400
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 17. Output Power versus Biasing Current
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 38 dBm
400 MHz
440 MHz
470 MHz
80
70
60
600 800 1000 1200 1400
0
100
Figure 18. Drain Efficiency versus Biasing Current
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 38 dBm
400 MHz
440 MHz
470 MHz
1600
400
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
600 800 1000 1200 1400
80
60
40
20
40
100
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 19. Output Power versus Supply Voltage
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Pin
= 38 dBm
IDQ
= 800 mA
400 MHz
440 MHz
470 MHz
90
80
70
60
50
11 12 13 14 15
Figure 20. Drain Efficiency versus Supply Voltage
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
0
100
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Pin
= 38 dBm
IDQ
= 800 mA
400 MHz
440 MHz
470 MHz
80
40
60
20
11 12 13 14 15
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PDF描述 |
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