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参数资料
| 型号： | MRF1570FNT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/23页 |
| 文件大小： | 616K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 470MHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-272BA |
| 供应商设备封装： | TO-272-6 绕接 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF1570FNT1DKR |
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS, 450 - 520 MHz
9
15
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 25. Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
90
0
VDD
= 12.5 Vdc
500 MHz
450 MHz
470 MHz
520 MHz
10 20 30 40 50 70 8060
14
13
12
11
10
20
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 26. Drain Efficiency versus Output Power
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
90
VDD
= 12.5 Vdc
500 MHz
470 MHz
450 MHz
520 MHz
10 20 30 40 50 70 8060
60
50
40
30
1600
50
90
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 27. Output Power versus Biasing Current
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
500 MHz
450 MHz
470 MHz
520 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 38 dBm
80
70
60
400 800 1200
1600
40
80
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 28. Drain Efficiency versus Biasing Current
500 MHz
450 MHz
470 MHz
520 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 38 dBm
70
60
50
400 800 1200
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
30
100
Figure 29. Output Power versus Supply Voltage
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Pin
= 38 dBm
IDQ
= 800 mA
450 MHz
470 MHz
11 12 13 14 15
90
80
70
60
50
40
520 MHz
500 MHz
40
80
Figure 30. Drain Efficiency versus Supply Voltage
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Pin
= 38 dBm
IDQ
= 800 mA
470 MHz
11 12 13 14 15
520 MHz
500 MHz
450 MHz
70
60
50
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PDF描述 |
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