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参数资料
| 型号： | MRF1946 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 211-07, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | MRF1946 |
MRF1946 MRF1946A
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(TC = 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 15 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
75
100
pF
FUNCTIONAL TESTS
Common–Emitter Amplifier Power Gain
(VCC = 12.5 Vdc, Pout = 30 W, f = 175 MHz)
Gpe
10
11
—
dB
Collector Efficiency
(VCC = 12.5 Vdc, Pout = 30 W, f = 175 MHz)
η
60
70
—
%
Load Mismatch
(VCC = 15.5 Vdc, Pin = 2.0 dB Overdrive,
Load VSWR = 30:1)
ψ
No Degradation in Power Output
Figure 1. Broadband Test Circuit Schematic
C1 — 56 pF Mini–Unelco, 3HS0006–56
C2 — 47 pF Mini–Unelco, 3HS0006–47
C3, C4 — 180 pF Chip Cap, ATC 100B181JC500
C5 — 150 pF Unelco, J101–150
C6 — 39 pF Mini–Unelco, 3HS0006–39
C7, C8 — 1000 pF Chip Cap, ATC 100B102JC50
C9 — 0.1
μ
F Ceramic Capacitor
C10 — 10
μ
F, 25 V Electrolytic Capacitor
C11 — 56 pF Mini–Unelco, 3HS0006–56
L1 — 2 Turns #18 AWG, 0.125
″
ID
L2, L3 — Circuit Board and Mounting Pad Inductance
L4 — 3 Turns #18 AWG, 0.125
″
ID
L5 — 6 Turns #16 Enameled, 0.250
″
ID
RFC1 — 0.15
μ
H Molded Choke w/Ferrite Bead
RFC2 — Ferrite Choke, Fair Rite VK200–4B
Board Material — 1/32
,
Glass Teflon, 1 oz. Cu Plating
Bead — Ferroxcube
RFC1
DUT
+12.5
Vdc
C1
C10
B
L1
L2
C2
C3
C4
RFC2
L5
L3
L4
C6
C7
C5
C11
C8
C9
+
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1946A | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MRF20030 | RF POWER TRANSISTOR |
| MRF20060R | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| MRF20060RS | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| MRF20060 | RF POWER BROADBAND NPN BIPOLAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1946A | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF1A(AMMO) | 制造商:Bel Fuse 功能描述:FUSE |
| MRF1K50GNR5 | 功能描述:WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:23dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 功率 - 输出:1500W 电压 - 额定:50V 封装/外壳:OM-1230G-4L 供应商器件封装:OM-1230G-4L 标准包装:1 |
| MRF1K50HR5 | 功能描述:HIGH POWER RF TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:22.5dB 额定电流:- 噪声系数:- 功率 - 输出:1500W 电压 - 额定:50V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230-4H 标准包装:1 |
| MRF1K50H-TF1 | 功能描述:MRF1K50H 87.5-108 MHZ EVAL BOARD 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 类型:晶体管 频率:87.5MHz ~ 108MHz 配套使用产品/相关产品:MRF1K50H 所含物品:板 标准包装:1 |
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