| 型号: | MRF1946 |
| 厂商: | MOTOROLA INC |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| 中文描述: | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装: | CASE 211-07, 4 PIN |
| 文件页数: | 4/6页 |
| 文件大小: | 141K |
| 代理商: | MRF1946 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1946A | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MRF20030 | RF POWER TRANSISTOR |
| MRF20060R | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| MRF20060RS | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| MRF20060 | RF POWER BROADBAND NPN BIPOLAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1946A | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF1A(AMMO) | 制造商:Bel Fuse 功能描述:FUSE |
| MRF1K50GNR5 | 功能描述:WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:23dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 功率 - 输出:1500W 电压 - 额定:50V 封装/外壳:OM-1230G-4L 供应商器件封装:OM-1230G-4L 标准包装:1 |
| MRF1K50HR5 | 功能描述:HIGH POWER RF TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:22.5dB 额定电流:- 噪声系数:- 功率 - 输出:1500W 电压 - 额定:50V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230-4H 标准包装:1 |
| MRF1K50H-TF1 | 功能描述:MRF1K50H 87.5-108 MHZ EVAL BOARD 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 类型:晶体管 频率:87.5MHz ~ 108MHz 配套使用产品/相关产品:MRF1K50H 所含物品:板 标准包装:1 |