- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录371144 > MRF1946 (MOTOROLA INC) RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF1946 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 211-07, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | MRF1946 |
3
MRF1946 MRF1946A
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. Output Power versus Input Power
Figure 3. Output Power versus Frequency
Figure 4. Output Power versus Supply Voltage
Figure 5. Output Power versus Supply Voltage
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
Figure 7. Output Power versus Supply Voltage
o
o
o
o
P
o
P
o
60
Pin, INPUT POWER (WATTS)
0
48
36
24
12
0
1
2
3
4
5
50
230
210
190
170
150
130
f, FREQUENCY (MHz)
40
30
20
10
0
50
40
30
20
10
5
VCC, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
50
40
30
20
10
5
VCC, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
50
40
30
20
10
5
VCC, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
50
40
30
20
10
5
VCC, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
VCC = 12.5 V
f = 136 MHz
150 MHz
175 MHz
220 MHz
3 W
2 W
1 W
VCC = 12.5 V
Pin = 4 W
Pin = 4 W
3 W
2 W
1 W
Pin = 4 W
3 W
2 W
1 W
Pin = 4 W
3 W
2 W
1 W
Pin = 4 W
3 W
2 W
1 W
f = 220 MHz
f = 175 MHz
f = 150 MHz
f = 136 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1946A | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MRF20030 | RF POWER TRANSISTOR |
| MRF20060R | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| MRF20060RS | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| MRF20060 | RF POWER BROADBAND NPN BIPOLAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1946A | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF1A(AMMO) | 制造商:Bel Fuse 功能描述:FUSE |
| MRF1K50GNR5 | 功能描述:WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:23dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 功率 - 输出:1500W 电压 - 额定:50V 封装/外壳:OM-1230G-4L 供应商器件封装:OM-1230G-4L 标准包装:1 |
| MRF1K50HR5 | 功能描述:HIGH POWER RF TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:22.5dB 额定电流:- 噪声系数:- 功率 - 输出:1500W 电压 - 额定:50V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230-4H 标准包装:1 |
| MRF1K50H-TF1 | 功能描述:MRF1K50H 87.5-108 MHZ EVAL BOARD 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 类型:晶体管 频率:87.5MHz ~ 108MHz 配套使用产品/相关产品:MRF1K50H 所含物品:板 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。