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参数资料
| 型号： | MRF21010LSR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 406K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 11W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360S |
| 供应商设备封装： | NI-360 短引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
A
R
C
H
I
V
E
I
N
F
O
R
M
A
T
I
O
N
A
R
C
H
I
V
E
I
N
F
O
R
M
A
T
I
O
N
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Drain--Source Breakdown Voltage
(VGS
= 0 Vdc, ID
=10
μA)
V(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS
= 28 Vdc, VGS
= 0 Vdc)
IDSS
—
—
10
μAdc
Gate--Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, VDS
= 0 Vdc)
IGSS
—
—
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 V, ID
= 50
μA)
VGS(th)
2.5
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
= 28 V, ID
= 100 mA)
VGS(Q)
2.5
4
4.5
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(VGS
= 10 V, ID
= 0.5 A)
VDS(on)
—
0.4
0.5
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
= 10 V, ID
= 1 A)
gfs
—
0.95
—
S
Dynamic Characteristics
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 28 Vdc, VGS
= 0, f = 1 MHz)
Crss
—
1
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
Two--Tone Common Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 28 Vdc, Pout
= 10 W PEP, IDQ
= 100 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 KHz)
Gps
12
13.5
—
dB
Two--Tone Drain Efficiency
(VDD
= 28 Vdc, Pout
= 10 W PEP, IDQ
= 100 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 KHz)
η
31
35
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(VDD
= 28 Vdc, Pout
= 10 W PEP, IDQ
= 100 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 KHz)
IMD
—
--35
--30
dBc
Input Return Loss
(VDD
= 28 Vdc, Pout
= 10 W PEP, IDQ
= 100 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 KHz)
IRL
—
--12
--10
dB
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
(VDD
= 28 Vdc, IDQ
= 100 mA, f = 2170 MHz)
P1dB
—
11
—
W
Common--Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 28 Vdc, Pout
= 10 W CW, IDQ
= 100 mA,
f = 2170 MHz)
Gps
—
12
—
dB
Drain Efficiency
(VDD
= 28 Vdc, Pout
= 10 W CW, IDQ
= 100 mA,
f = 2170 MHz)
η
—
42
—
%
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