- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录92 > MRF21010LSR1 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF21010LSR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 406K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 11W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360S |
| 供应商设备封装： | NI-360 短引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
A
R
C
H
I
V
E
I
N
F
O
R
M
A
T
I
O
N
A
R
C
H
I
V
E
I
N
F
O
R
M
A
T
I
O
N
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
f
MHz
Zsource
Zload
1990
2110
2230
2.85 -- j4.38
2.73 -- j6.19
2.89 -- j5.04
2.93 -- j1.71
2.76 -- j2.28
2.83 -- j2.59
VDD
= 28 V, IDQ
= 100 mA, Pout
= 10 W PEP
Figure 10. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zo
= 10
f = 1990 MHz
f = 2230 MHz
f = 1990 MHz
f = 2230 MHz
Zsource
Zload
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF21030LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| MRF21045LR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| MRF21085LSR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| MRF281ZR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z |
| MRF282SR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF21010LSR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF21030D | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS |
| MRF21030LR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 30W 2.2GHZ LDMOS NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF21030LR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF21030LSR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。