- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录92 > MRF21045LR5 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF21045LR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 737K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.16GHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400 |
| 供应商设备封装： | NI-400 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Drain--Source Breakdown Voltage
(VGS
=0Vdc,ID
= 100
μAdc)
V(BR)DSS
65
?
?
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS
=28Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Gate--Source Leakage Current
(VGS
=5Vdc,VDS
=0Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics (DC)
Gate Threshold Voltage
(VDS
=10Vdc,ID
= 100
μAdc)
VGS(th)
2
?
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
=28Vdc,ID
= 500 mAdc)
VGS(Q)
3
3.9
5
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(VGS
=10Vdc,ID
=1Adc)
VDS(on)
?
0.19
0.21
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
=10Vdc,ID
=1Adc)
gfs
?
3
?
S
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
=28Vdc,VGS
=0,f=1MHz)
Crss
?
1.8
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) 2--carrier W--CDMA. Peak/Avg. = 8.3 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Common--Source Amplifier Power Gain
(VDD
=28Vdc,Pout
=10WAvg.,IDQ
= 500 mA,
f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz)
Gps
13.5
15
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
=28Vdc,Pout
=10WAvg.,IDQ
= 500 mA,
f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz)
η
21
23.5
?
%
Third Order Intermodulation Distortion
(VDD
=28Vdc,Pout
=10WAvg.,IDQ
= 500 mA,
f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz; IM3 measured over 3.84 MHz
Bandwidth at f1 --10 MHz and f2 +10 MHz.)
IM3
?
--37.5
-- 3 5
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD
=28Vdc,Pout
=10WAvg.,IDQ
= 500 mA,
f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz; ACPR measured over 3.84 MHz
Bandwidth at f1 --5 MHz and f2 +5 MHz.)
ACPR
?
-- 4 1
-- 3 8
dBc
Input Return Loss
(VDD
=28Vdc,Pout
=10WAvg.,IDQ
= 500 mA,
f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz)
IRL
?
-- 1 2
-- 9
dB
1. Part is internally matched both on input and output.
(continued)
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF21085LSR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| MRF281ZR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z |
| MRF282SR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S |
| MRF372R3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860C3 |
| MRF373ALSR5 | MOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF21045LSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF PWR LDMOS NI400LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF21045LSR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF21045S | 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391B |
| MRF21060 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,65V V(BR)DSS,SOT-391VAR |
| MRF21060LR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。