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参数资料
| 型号： | MRF373ALSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 367K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 75W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-360S |
| 供应商设备封装： | NI-360 短引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N
O
T RE
CO
MMENDED F
O
R NEW DE
S
I
G
N
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
4
Freescale Semiconductor
RF Product Device Data
MRF373ALR1 MRF373ALSR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
C
rss
, CAPACITANCE (pF)
100 10Ciss
50 5Coss
Crss
C
iss
, CAPACITANCE (pF)
C
oss
,
60
0
200
0
0
20
150 15
50
40
30
20
10
VDS, DRAIN SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Power Gain versus Output Power
920
5
30
800
52
62
IRL
20 58Gps
η
VDD
= 32 Vdc
25 60
Pout
= 75 W (CW)
IDQ
= 200 mA
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Performance in Narrowband Circuit
INPUT RETURN LOSS (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL,
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
15 56
10 54
900
880
860
840
820
100
15
20
1
IDQ
= 500 mA
400 mA
VDD
= 32 Vdc
f = 860 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 4. Capacitance versus Voltage
G
ps
, POWER GAIN (dB)
300 mA
200 mA
100 mA
19
18
17
16
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF373R1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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| MRF373SR1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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