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参数资料
| 型号： | MRF5S4140HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/20页 |
| 文件大小： | 1516K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 465MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.25A |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22--A114)
2 (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22--A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22--C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=65Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=28Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate--Source Leakage Current
(VGS
=5Vdc,VDS
=0Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
=10Vdc,ID
= 400
μAdc)
VGS(th)
2
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
=28Vdc,ID
= 1250 mAdc, Measured in Functional Test)
VGS(Q)
3
4
5
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(VGS
=10Vdc,ID
=2.42Adc)
VDS(on)
0.1
0.2
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
=10Vdc,ID
=3Adc)
gfs
?
6.2
?
S
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
=28Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Crss
?
2.3
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1250 mA, Pout
= 28 W Avg. N--CDMA,
f = 465 MHz, Single--Carrier N--CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @
±750 kHz
Offset. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
20
21
23
dB
Drain Efficiency
ηD
28.5
30
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
--47.6
-- 4 5
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-- 1 4
-- 9
dB
1. Part internally input matched.
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