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参数资料
| 型号： | MRF5S4140HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 18/20页 |
| 文件大小： | 1516K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 465MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.25A |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 460--470 MHz
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
18
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
26
80
24
60
23
50
30
20
2 10 100
20
85_C
VDD=28Vdc
IDQ
= 1250 mA
f = 465 MHz
Gps
G
ps
, POWER GAIN (dB)
25
10
300
TC
=--30_C
-- 3 0_C
21
25_C
85_C
22
40
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=12V
16 V
250
17.5
21.5
0 20050
100 150
18
20
19
21
IDQ
= 1250 mA
f = 465 MHz
20 V
24 V
28 V
32 V
19
70
25_C
ηD
20.5
19.5
18.5
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PDF描述 |
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