参数资料
型号: MRF5S4140HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 16/20页
文件大小: 1516K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 465MHz
增益: 21dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.25A
功率 - 输出: 28W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780S
供应商设备封装: NI-780S
包装: 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 460--470 MHz
-- 9
-- 1
-- 3
-- 5
-- 7
-- 1 3
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
490
430
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single--Carrier N--CDMA Broadband Performance
@Pout
= 28 Watts Avg.
480
470
460
450
440
-- 7 0
38
32
26
-- 4 0
-- 5 0
-- 5 5
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
-- 6 0
-- 4 5
29
35
21.5
21
20
19
18
17
16
17.5
18.5
19.5
20.5
ALT1
-- 1 2
-- 2
-- 4
-- 6
-- 1 0
-- 1 4
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
490
430
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single--Carrier N--CDMA Broadband Performance
@Pout
= 56 Watts Avg.
480
470
460
450
440
-- 6 0
55
45
35
-- 3 5
-- 4 5
-- 5 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
-- 5 5
-- 4 0
40
50
20.8
20.3
19.3
18.3
17.3
16.3
15.8
16.8
17.8
18.8
19.8
ALT1
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
10 400100
17
23
6
IDQ
= 1850 mA
1550 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
21
19
G
ps
, POWER GAIN (dB)
650 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 465 MHz, f2 = 467.5 MHz
Two--Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
950 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-- 1 5
IDQ
= 650 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 5
-- 4 5
10
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
-- 1 0
950 mA
1850 mA
400
1550 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 465 MHz, f2 = 467.5 MHz
Two--Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
22
20
18
1250 mA
-- 4 0
1250 mA
16.5
-- 6 5
-- 11
VDD=28Vdc,Pout
=28W(Avg.)
IDQ
= 1250 mA, N--CDMA IS--95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13)
-- 8
-- 3 0
VDD=28Vdc,Pout
=56W(Avg.)
IDQ
= 1250 mA, N--CDMA IS--95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13)
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PDF描述
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参数描述
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MRF5S9070NR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 70W RF POWER FET TO270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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