- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录92 > MRF5S4140HSR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S4140HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/20页 |
| 文件大小： | 1516K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 465MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.25A |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
16
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
Zo
=2?
Zload
Zsource
f = 519 MHz
f = 469 MHz
f = 469 MHz
f = 519 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1250 mA, Pout
=28WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
469
0.454 -- j0.742
1.08 -- j0.129
474
0.510 -- j0.637
1.12 + j0.043
479
0.467 -- j0.581
1.07 + j0.160
484
0.495 -- j0.513
1.09 + j0.294
489
0.495 -- j0.457
1.12 + j0.430
494
0.478 -- j0.360
1.16 + j0.573
499
0.505 -- j0.295
1.18 + j0.586
504
0.502 -- j0.249
1.11 + j0.653
509
0.502 -- j0.048
1.07 + j0.810
514
0.499 + j0.002
1.03 + j1.01
519
0.502 + j0.003
1.03 + j1.10
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Figure 23. Series Equivalent Source and Load Impedance ? 489--499 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S9070MR1 | MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 |
| MRF5S9070NR5 | MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 |
| MRF5S9080NR1 | MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4 |
| MRF5S9100MR1 | MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 |
| MRF5S9101MR1 | MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2704 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S9070MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S9070NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 70W RF POWER FET TO270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9070NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 70W RF POWER FET TO270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9080NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 80W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9080NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 80W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。