参数资料
型号: MRF5S4140HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 3/20页
文件大小: 1516K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 465MHz
增益: 21dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.25A
功率 - 输出: 28W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780S
供应商设备封装: NI-780S
包装: 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 420--430 MHz
-- 11
-- 5
-- 8
-- 1 7
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
440
410
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 16. Single--Carrier N--CDMA Broadband Performance
@Pout
= 28 Watts Avg.
435
430
425
420
415
-- 6 5
33
29
25
-- 4 7
-- 5 3
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
-- 5 9
-- 4 1
27
31
21.7
21.4
20.8
20.2
19.9
19.3
19
19.6
20.5
21.1
ALT1
-- 1 4
VDD=28Vdc,Pout
=28W(Avg.)
IDQ
= 1250 mA, N--CDMA IS--95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13)
-- 1 3
-- 4
-- 7
-- 1 0
-- 1 9
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
440
410
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 17. Single--Carrier N--CDMA Broadband Performance
@Pout
= 56 Watts Avg.
435
430
425
420
415
-- 6 0
47
42
37
-- 3 5
-- 4 5
-- 5 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
-- 5 5
-- 4 0
39.5
44.5
21.5
21
20
19
18
17
16.5
17.5
18.5
19.5
20.5
ALT1
-- 1 6
VDD=28Vdc,Pout
=56W(Avg.)
IDQ
= 1250 mA, N--CDMA IS--95 (Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)
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