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参数资料
| 型号： | MRF6P23190HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 431K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 40W NI-1230 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.39GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.9A |
| 功率 - 输出： | 40W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6P23190HR6
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375D-05
ISSUE E
NI-1230
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M?1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION OF
1.52 (38.61) BASED ON M3 SCREW.
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.615 1.625 41.02 41.28
B
0.395 0.405 10.03 10.29
C
0.150 0.200 3.81 5.08
D
0.455 0.465 11.56 11.81
E
0.062 0.066 1.57 1.68
F
0.004 0.007 0.10 0.18
G
1.400 BSC 35.56 BSC
H
0.082 0.090 2.08 2.29
K
0.117 0.137 2.97 3.48
L
0.540 BSC 13.72 BSC
N
1.218 1.242 30.94 31.55
Q
0.120 0.130 3.05 3.30
R
0.355 0.365 9.01 9.27
A
G
4
L
4X
D
4X
K
2X
Q
12
4
3
M
1.219 1.241 30.96 31.52
S
0.365 0.375 9.27 9.53
aaa
0.013 REF 0.33 REF
bbb
0.010 REF 0.25 REF
ccc
0.020 REF 0.51 REF
T
SEATINGPLANE
N
(LID)
C
E
M
(INSULATOR)
aaa BT
A
M
M
M
B
B
(FLANGE)
H
F
ccc BT
A
M
M
M
R
(LID)
S
(INSULATOR)
bbb BT
A
M
M
M
A
bbb BT
A
M
M
M
ccc BT
A
M
M
M
PIN 5
bbb BT
A
M
M
M
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF6P24190HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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