参数资料
型号: MRF6P27160HR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 10/11页
文件大小: 487K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 2.66GHz
增益: 14.6dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.8A
功率 - 输出: 35W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: NI-1230
供应商设备封装: NI-1230
包装: 带卷 (TR)
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P27160HR6
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
2600
2610
2620
5.24 + j2.46
5.71 + j1.59
5.69 + j2.04
6.90 + j0.61
6.85 + j0.63
6.76 + j0.59
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1800 mA, P
out
= 35 W Avg.
2630
2640 5.45 + j1.426.13 + j0.56
5.62 + j1.48
6.50 + j0.59
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
?
?+
+
2645
2650 5.31 + j1.585.81 + j0.83
5.38 + j1.49
5.95 + j0.69
2660
2670 5.45 + j2.095.69 + j1.48
5.24 + j1.81
5.61 + j1.15
2680 5.84 + j2.225.91 + j1.67
2690
2700 6.49 + j1.926.17 + j1.60
6.22 + j2.12
6.12 + j1.68
Zo
= 10
Ω
Zload
f = 2600 MHz
Zsource
f = 2700 MHz
f = 2600 MHz
f = 2700 MHz
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