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参数资料
| 型号： | MRF6S19100GNR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 928K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270BB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 鸥翼形 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19100NR1 MRF6S19100NBR1
Figure 2. MRF6S19100NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout
MRF6S19100N/NB, Rev. 5
CUT OUT AREA
R1
C10
C11
R2
C2
C3
R3
C7
C1
C4
C5 C6
C8
C9
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19100HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6S19100HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S19100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 WCDMA 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S19100HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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