参数资料
型号: MRF6S20010GNR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 10/28页
文件大小: 874K
描述: MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW
标准包装: 1
晶体管类型: LDMOS
频率: 2.17GHz
增益: 15.5dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 130mA
功率 - 输出: 10W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: TO-270BB
供应商设备封装: TO-270 WB-4 鸥翼形
包装: 标准包装
其它名称: MRF6S20010GNR1DKR
18
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
Table 9. Common Source Scattering Parameters
(VDD
=28V,IDQ
= 126 mA, TA
=25?C, 50 ohm system)
f
MHz
S11
S21
S12
S22
|S11|
??
|S21|
??
|S12|
??
|S22|
??
500
0.984
--178.1
1.195
42.42
0.001
--129.1
0.875
--116.3
550
0.986
--179.0
0.947
40.48
0.001
--159.2
0.892
--121.6
600
0.985
179.9
0.747
39.66
0.001
147.4
0.905
--125.9
650
0.986
178.9
0.581
39.89
0.001
119.1
0.913
--129.9
700
0.982
177.9
0.446
41.80
0.001
108.1
0.927
--133.4
750
0.983
177.2
0.336
46.70
0.002
102.9
0.935
--136.4
800
0.983
176.5
0.248
56.02
0.002
96.99
0.941
--139.5
850
0.979
175.5
0.188
72.74
0.003
97.40
0.947
--141.9
900
0.980
174.8
0.168
96.69
0.003
94.63
0.951
--144.4
950
0.977
174.0
0.183
119.3
0.004
91.92
0.955
--146.6
1000
0.978
173.2
0.223
134.3
0.004
92.80
0.960
--148.6
1050
0.972
172.4
0.276
142.2
0.004
89.92
0.962
--150.5
1100
0.972
171.4
0.335
146.4
0.005
89.90
0.966
--152.2
1150
0.963
170.8
0.396
148.5
0.005
87.51
0.977
--153.7
1200
0.964
169.9
0.461
148.8
0.006
89.25
0.971
--155.2
1250
0.956
169.0
0.531
148.2
0.007
86.98
0.977
--156.8
1300
0.948
167.8
0.604
146.9
0.007
85.08
0.982
--157.9
1350
0.939
167.0
0.685
144.8
0.008
82.40
0.986
--159.5
1400
0.927
165.7
0.772
142.2
0.008
79.69
0.988
--160.7
1450
0.910
164.5
0.869
138.7
0.009
77.79
0.994
--162.1
1500
0.889
163.2
0.975
134.7
0.010
75.79
0.991
--163.4
1550
0.861
161.9
1.093
129.7
0.010
72.86
0.993
--164.7
1600
0.821
160.9
1.221
123.8
0.011
69.89
0.996
--166.0
1650
0.780
160.1
1.356
116.7
0.012
63.71
0.984
--167.4
1700
0.722
160.6
1.491
108.3
0.013
57.70
0.985
--168.5
1750
0.666
162.5
1.606
98.77
0.014
49.85
0.977
--169.6
1800
0.618
167.0
1.687
88.09
0.014
41.19
0.970
--170.8
1850
0.603
173.3
1.706
76.98
0.013
32.65
0.958
--171.3
1900
0.614
179.7
1.673
66.08
0.012
25.40
0.954
--171.9
1950
0.654
--175.6
1.591
55.96
0.011
20.73
0.945
--172.3
2000
0.701
--173.5
1.484
47.04
0.010
15.11
0.947
--172.6
2050
0.747
--172.7
1.364
39.29
0.008
10.13
0.947
--173.0
2100
0.783
--172.6
1.242
32.87
0.006
6.333
0.945
--173.6
2150
0.816
--172.9
1.136
27.69
0.004
15.63
0.944
--173.9
2200
0.842
--173.6
1.042
23.26
0.004
42.20
0.944
--174.2
2250
0.864
--174.2
0.961
19.26
0.005
57.76
0.948
--174.6
2300
0.882
--175.0
0.888
15.75
0.006
62.56
0.948
--175.2
2350
0.894
--175.7
0.822
12.69
0.008
59.72
0.949
--175.7
2400
0.906
--176.4
0.764
9.857
0.009
49.09
0.951
--176.1
2450
0.910
--176.9
0.712
7.587
0.008
39.24
0.955
--176.5
(continued)
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MRF6S20010GNR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6S20010 Series 1.6 to 2.2 GHz 28 V 10 W RF Power N-Ch Mosfet - TO-270
MRF6S20010NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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MRF6S21050LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs