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参数资料
| 型号： | MRF6S20010GNR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/28页 |
| 文件大小： | 874K |
| 描述： | MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.17GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 130mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270BB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 鸥翼形 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6S20010GNR1DKR |
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MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
GSM EDGE TYPICAL CHARACTERISTICS
— 1805--1880 MHz
Figure 24. MRF6S20010NR1 Test Circuit Component Layout — 1805--1880 MHz
MRF6S20010N
Rev. 0
CUT OUT AREA
C11
VDD
VGS
R1
R2 C1
C7
R3
C2
C3
C4 C5
C6
C9 C10
C8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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