参数资料
型号: MRF6S20010GNR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 4/28页
文件大小: 874K
描述: MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW
标准包装: 1
晶体管类型: LDMOS
频率: 2.17GHz
增益: 15.5dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 130mA
功率 - 输出: 10W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: TO-270BB
供应商设备封装: TO-270 WB-4 鸥翼形
包装: 标准包装
其它名称: MRF6S20010GNR1DKR
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
N--CDMA TYPICAL CHARACTERISTICS
— 1930--1990 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc)
-- 2 0
-- 8
-- 11
-- 1 7
1980 1990
2000
1900
1910
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 19. Single--Carrier N--CDMA Broadband Performance
@Pout
=1WattAvg.
1920
1930
1940
1950
1960
1970
15.9
-- 6 1
19
18
17
16
--59.4
--59.8
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
15.8
15.7
15.6
15.5
15.3
--60.2
-- 1 4
14.9
?D
VDD=28Vdc,Pout
=1W(Avg.),IDQ
= 500 mA
N--CDMA IS--95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 Through 13)
15.1
15
--60.6
15.4
15.2
15
IRL
-- 5 9
ACPR (dBc)
Figure 20. Single--Carrier N--CDMA ACPR and Drain
Efficiency versus Output Power
0
-- 6 5
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
-- 4 0
-- 5 0
30
-- 5 5
20
1
?
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
40
?D
ACPR
0.1
-- 4 5
VDD=28Vdc,IDQ
= 130 mA
f = 1960 MHz, N--CDMA IS--95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13)
10
-- 6 0
10
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