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参数资料
| 型号： | MRF6S20010GNR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/28页 |
| 文件大小： | 874K |
| 描述： | MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.17GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 130mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270BB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 鸥翼形 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6S20010GNR1DKR |
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MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
17
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 29. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 1880 MHz
Zo
=25?
Zload
f = 1805 MHzZsource
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1805
1840
1880
13.237 + j5.810
2.445 + j3.698
14.858 + j6.279
2.695 + j4.170
13.953 + j6.084
2.542 + j3.942
VDD
=28Vdc,IDQ
= 130 mA, Pout
=4WAvg.
1800 MHz
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2110
2140
2170
3.619 + j0.792
4.087 + j0.558
3.918 + j0.797
2.544 + j3.068
2.673 + j3.291
2.818 + j3.406
VDD
=28Vdc,IDQ
= 130 mA, Pout
= 10 W PEP
2170 MHz
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1930
1960
1990
9.237 + j1.849
9.889 + j2.434
9.521 + j2.144
2.770 + j3.497
2.754 + j3.668
2.772 + j3.833
VDD
=28Vdc,IDQ
= 130 mA, Pout
=1WAvg.
1900 MHz
f = 1805 MHz
f = 1880 MHz
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
Zload
Zsource
Zo
=25?
f = 1990 MHz
f = 1930 MHz
f = 2110 MHz
Zsource
Zload
f = 2170 MHz
f = 2170 MHz
f = 2110 MHz
Zo
=25?
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