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参数资料
| 型号： | MRF6S20010GNR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/28页 |
| 文件大小： | 874K |
| 描述： | MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.17GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 130mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270BB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 鸥翼形 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6S20010GNR1DKR |
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16
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
GSM EDGE TYPICAL CHARACTERISTICS
— 1805--1880 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
f, FREQUENCY (MHz)
13
1800
1810 1820 1830 1840 1850 1860 1870 1880 1890
10
Gps
VDD
=28Vdc
IDQ
= 130 mA
17 50
16
40
15 30
14
20
1900
IRL
Figure 25. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 4 Watts
-- 3 0
0
-- 1 0
-- 2 0
-- 4 0
?D
?
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 26. Error Vector Magnitude and Drain
Efficiency versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
10
2
6
VDD
=28Vdc
IDQ
= 130 mA
f = 1840 MHz
4
3
0
1
0.1
1
20
60
40
30
0
10
EVM
?D
?
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% ms)
50
5
10
-- 8 0
-- 5 0
0.1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 5 5
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
-- 7 5
1
VDD
=28Vdc
IDQ
= 130 mA
f = 1840 MHz
Figure 27. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH (dBc)
SR @ 400 kHz
SR @ 600 kHz
Figure 28. EDGE Spectrum
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
--100
200 kHz Span 2 MHz
Center 1.96 GHz
-- 11 0
400 kHz
600 kHz
400 kHz
600 kHz
(dB)
Reference Power
VBW = 30 kHz
Sweep Time = 70 ms
RBW = 30 kHz
GSM EDGE TEST SIGNAL
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PDF描述 |
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