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参数资料
| 型号： | MRF6S21140HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 826K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 30W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 2 1
-- 1 2
-- 1 5
-- 1 8
G
ps
, POWER GAIN (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 2 1
-- 1 2
-- 1 5
-- 1 8
2220
2060
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 30 Watts Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
15.6
15.5
-- 4 4
30
28
26
-- 3 2
-- 3 6
-- 4 0
2220
2060
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 60 Watts Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
15
14.9
-- 3 3
42
40
38
-- 2 4
-- 2 7
-- 3 0
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10 400100
12
17
1
IDQ
= 1800 mA
1500 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
16
15
14
-- 5 5
-- 2 5
1
IDQ
= 600 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1800 mA
100
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
-- 6 0
VDD
=28Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
10
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
ηD
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
15.4
IDQ
= 1200 mA, 2--Carrier W--CDMA,
15.3
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
15.2
15.1
15
VDD=28Vdc,Pout
=30W(Avg.),
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel Bandwidth,
14.8
14.7
14.6
14.5
14.4
VDD=28Vdc,Pout
=60W(Avg.),
IDQ
= 1200 mA, 2--Carrier W--CDMA,
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
13
1200 mA
900 mA
600 mA
VDD
=28Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
-- 2 0
1500 mA
900 mA
1200 mA
400
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| MRF6S21190HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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