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参数资料
| 型号： | MRF6S21140HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 826K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 30W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
Figure 2. MRF6S21140HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
C16
R2
VGS
R1
C5
C4
C3
C1
R3
C19 C2
C10
VDD
C12 C13
C17
C9
C8
C18
C6
C7
C14 C15
C11
CUT OUT AREA
MRF6S21140H
Rev 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21190HSR5 | MOSFET RF N-CH 54W NI880S |
| MRF6S23100HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| MRF6S23140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S |
| MRF6S24140HS | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| MRF6S27015NR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S21190H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S21190HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21190HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21190HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21190HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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