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参数资料
| 型号： | MRF6S21140HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 826K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 30W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2080
2110
2140
1.40 -- j3.03
1.34 -- j2.52
1.37 -- j2.78
7.53 -- j10.99
7.57 -- j10.67
7.58 -- j10.23
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1200 mA, Pout
=30WAvg.
Zo
=25?
Zload*
f = 2200 MHz
f = 2080 MHz
Zsource
2170
2200 1.31 -- j2.067.44 -- j9.32
1.32 -- j2.28
7.51 -- j9.73
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 2200 MHz
f = 2080 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6S21190HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21190HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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