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参数资料
| 型号： | MRF6S9045NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 783K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 22.7dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50 ohm system)
VDD
= 28 Vdc, IDQ
= 350 mA, Pout
= 16 W Avg., f = 921-960 MHz, GSM EDGE Signal
Power Gain
Gps
?
20
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
46
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
1.5
?
%
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-62
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-78
?
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc,
IDQ
= 350 mA, Pout
= 45 W, f = 921-960 MHz
Power Gain
Gps
?
20
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
68
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-12
?
dB
Pout
@ 1 dB Compression Point
(f = 940 MHz)
P1dB
?
52
?
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S9060NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6S9060N | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S9060N - Bulk |
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