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参数资料
| 型号： | MRF6S9045NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/18页 |
| 文件大小： | 783K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 22.7dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
1 10010
?80
?10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
5th Order
3rd Order
?20
?30
?40
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?50
?60
?70
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA, f1 = 880 MHz
f2 = 880.1 MHz, Two?Tone Measurements
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
?70
0
0.05
0.1
7th Order
TWO?TONE SPACING (MHz)
5th Order
?10
?20
?30
?40
?50
?60
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
3rd Order
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W (PEP), I
DQ
= 350 mA
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz, Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
33
54
P3dB = 48.6 dBm (72.44 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 880 MHz
52
50
48
44
24 2625 2827 3129
30 32
Actual
Ideal
P1dB = 48.2 dBm (66.07 W)
53
49
51
47
23
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
46
45
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0 ?85
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
?25
50
?35
40
C
?45
30
?55
10
?75
11050
?65
20
ALT1
ηD
Gps
TC
= 25
C
85C
ACPR
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 350 mA
f = 880 MHz, N?CDMA IS?95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
ALT1, CHANNEL POWER (dBc)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
?30C
25C
25
?30C
25C
85C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S9060NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 |
| MRF6S9125MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
| MRF6S9125NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
| MRF6S9130HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S |
| MRF6S9160HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S9045NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S9060 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF6S9060N | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S9060N - Bulk |
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