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参数资料
| 型号： | MRF6S9125NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/23页 |
| 文件大小： | 1013K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 700 mA,
Pout
= 60 W Avg., 921-960 MHz, EDGE Modulation
Power Gain
Gps
?
20
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
40
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
1.8
?
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-63
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-78
?
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 700 mA, Pout
= 125 W,
921-960 MHz
Power Gain
Gps
?
19
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
62
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-12
?
dB
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
(f = 880 MHz)
P1dB
?
125
?
W
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PDF描述 |
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