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参数资料
| 型号： | MRF6S9125NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/23页 |
| 文件大小： | 1013K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
EDGE CHARACTERIZATION
Figure 19. EVM versus Frequency
Figure 20. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
f, FREQUENCY (MHz)
Pout= 70 W Avg.
60 W Avg.
20 W Avg.
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
300
6
15
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 700 mA
f = 943 MHz
EDGE Modulation
12
9
0
10
1
3
30
75
60
45
0
15
TC
= 25
C
EVM
980
?82.5
?52.5
900
SR @ 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 700 mA
f = 943 MHz, EDGE Modulation
?60
?75
910 920 930 940 950 960 970
Pout
= 70 W Avg.
60 W Avg.
20 W Avg.
70 W Avg.
TC
= 25
C
?75
?45
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?48
?51
?54
?57
?60
?63
?66
?69
?72
22.5
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 700 mA
f = 943 MHz
EDGE Modulation
Figure 22. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
ηD
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% ms)
990
0
5
900
4.5
3
2.5
1.5
1
0.5
980
970
960
950
940
930
910
4
3.5
2
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% ms)
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz AND 600 kHz (dBc)
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
Figure 23. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
?83
?53
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?56
?59
?62
?65
?68
?71
?74
?77
?80
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
920
100
?67.5
SR @ 600 kHz
60 W Avg.
20 W Avg.
45 67.5 90 112.5 135
0 22.5 45 67.5 90 112.5 135
TC
= 25
C
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 700 mA
f = 943 MHz
EDGE Modulation
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