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参数资料
| 型号： | MRF6S9130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1A (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 400
μAdc)
VGS(th)
1
2.1
3
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDD
= 28 Vdc, I
D
= 950 mAdc, Measured in Functional Test)
VGS(Q)
2
2.9
4
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 2.74 Adc)
VDS(on)
?
0.22
0.5
Vdc
Dynamic Characteristics (1)
Output Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Coss
?
66
?
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Crss
?
1.6
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 27 W Avg. N-CDMA,
f = 880 MHz, Single-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @ ±750 kHz
Offset. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF
Power Gain
Gps
18
19.2
21
dB
Drain Efficiency
ηD
29
30.5
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-48.1
-46
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-30
-9
dB
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 950 mA,
Pout
= 56 W Avg., 921 MHz<Frequency<960 MHz
Power Gain
Gps
?
18.5
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
44
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
1.5
?
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-63
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-75
?
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 950 mA, Pout
= 130 W,
921 MHz<Frequency<960 MHz
Power Gain
Gps
?
18
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
63
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-12
?
dB
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
(f = 940 MHz)
P1dB
?
135
?
W
1. Part is internally matched on input.
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